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1N4148WT / 1N4448WT / 1N
914BWT — High Conductanc
e Fast Switching Diode
? 2009 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
1N4148WT / 1N4448WT / 1N914BWT Rev. A2 2
Typical Performance Characteristics
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1N4448WTR 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:250mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 10mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:3,000
1N4448W-V 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Fast Switching Diode
1N4448W-V_12 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Fast Switching Diode
1N4448W-V-GS08 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 Vr/75V Io/150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
1N4448W-V-GS18 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 100 Volt 500mA 4ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube